丰益国际配资APP下载 格科半导体申请一种半导体器件及其形成方法专利，避免氟离子在多晶硅层与第一掩膜层结合处发生团簇从而产生界面缺陷_反应_表面_显示

金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其形成方法”的专利，公开号CN120239323A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件的形成方法，至少包括以下步骤：步骤S1，提供一衬底，置于反应室内，所述衬底包含第一导电类型和第二导电类型，所述衬底表面设有一经预掺杂处理的栅氧化层和多晶硅层；步骤S2，向所述反应室内通入第一反应气体，在所述多晶硅层表面沉积第一掩膜层；步骤S3，向所述反应室内通入第二反应气体，在所述第一掩膜层表面沉积第二掩膜层；其中，所述第一掩膜层的致密度大于所述第二掩膜层的致密度。氟离子经过扩散会进入第二掩膜层中，既避免了氟离子在多晶硅层与第一掩膜层结合处发生团簇从而产生界面缺陷，又防止了氟离子从第二掩膜层表面析出从而对衬底造成离子损伤。

天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息104条，此外企业还拥有行政许可86个。

来源：金融界

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